资料介绍
晶闸管
电力电子-----晶闸管
晶闸管(Thyristor)就是硅晶体闸流管，普通晶闸管也称为可控硅SCR,普通晶闸管是一种
具有开关作用的大功率半导体器件。目前，晶闸管的容量水平已达8kV／6kA。
一 晶闸管的结构和工作原理
1晶闸管的结构
晶闸管是具有四层PNPN结构、三端引出线(A、K、G)的器件。常见晶闸管的外形有两种：
螺栓型和平板型。
晶闸管的结构和等效电路如下图所示，晶闸管的管芯是P1N1P2N2四层半导体，形成3个P
N结J1、J2和J3。
2. 晶闸管的工作原理
ν
IG↑→Ib2↑→IC2(Ib1)↑→IC1↑
(1) 欲使晶闸管导通需具备两个条件：
① 应在晶闸管的阳极与阴极之间加上正向电压。
② 应在晶闸管的门极与阴极之间也加上正向电压和电流。
(2) 晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用，故晶闸管为半控型器件。
(3)
为使晶闸管关断，必须使其阳极电流减小到一定数值以下，这只有用使阳极电压减小到
零或反向的方法来实现。
二 晶闸管的特性和主要参数
1. 晶闸管的特性
2.
(1) 晶闸管的伏安特性
ν晶闸管的伏安特性是晶闸管阳极与阴极间电压UAK和晶闸管阳极电流IA之间的关系特性
。
ν晶闸管的伏安特性
(2) 晶闸管的门极伏安特性
ν由于实际产品的门极伏安特性分散性很大，常以一条典型的极限高阻门极伏安特性和一
条极限低阻门极伏安特性之间的区域来代表所有器件的伏安特性，由门极正向峰值电流
IFGM﹑允许的瞬时最大功率PGM和正向峰值电压UFGM划定的区域称为门极伏安特性区域。
PG为门极允许的最大平均功率。其中,0ABC0为不可靠触发区,ADEFGCBA为可靠触发区.
ν晶闸管的门极伏安特性
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