TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导

TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导
TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导

作　者：中国兵器工业部第58所 唐冰
摘　要：介绍在TMS320C5410环境下对Am29LV200B
Flash存储器进行程序烧写，并且实现了TMS320C5410上电后用户程序并行自举引导
。
关键词：Am29LV200B Flash DSP 并行自举引导 自举表
　　Flash是一种可在线进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器。它具有低功耗、大容
量、擦写速度快等特点，并且内部嵌入算法完成对芯片的操作，因而在数字信号处理系
统中得到了广泛的应用。本文通过一个完整的实例，介绍Am29LV200B
Flash存储器的烧写方法，实现TMS320C5410（以下简称C5410）上电后用户程序的并行自
举引导。

1 Am29LV200B Flash存储器

1.1 Flash存储器简介

　　Am29LV200B是AMD公司生产的Flash存储器，其主要特点有：3
V单电源供电，可使内部产生高电压进行编程和擦除操作；支持JEDEC单电源Flash存储器
标准；只需向其命令寄存器写入标准的微处理器指令，具体编程、擦除操作由内部嵌入
的算法实现，并且可以通过查询特定的引脚或数据线监控操作是否完成；可以对任一扇
区进行读、写或擦除操作，而不影响其它部分的数据。本文中128K×16位Am29LV200B
Flash
映射为C5410的片外数据存储空间，地址为：0x8000~0xFFFF，数据总线16位，用于16位
方式的并行引导装载。128K的Flash
ROM用32K地址分四页进行访问，上电加载程序时使用Flash ROM的第3页。

1.2 Flash存储器的操作命令

　　向Flash存储器的特定寄存器写