首页|嵌入式系统|显示技术|模拟IC/电源|元件与制造|其他IC/制程|消费类电子|无线/通信|汽车电子|工业控制|医疗电子|测试测量
首页 > 分享下载 > 消费类电子 > 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

资料介绍
大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies,SMPS)的整流组件,不过,在选用MOSFET时有一些注意事项。 功率MOSFET和双极型晶体管不同,它的栅极电容比较大,在导通之前要先对该电容充电,当电容 电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。因此,栅极驱动器的负载能力必须足够大,以保 证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容(CEI)的充电。 在计算栅极驱动电流时,最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容(CISS)和CEI混为一谈,于 是会使用下面这个公式去计算峰值栅极电流。 I = C(dv/dt) 实际上,CEI的值比CISS高很多,必须要根据MOSFET生产商提供的栅极电荷(QG)指标计算。 QG是MOSFET栅极电容的一部分,计算公式如下: QG = QGS + QGD + QOD 其中: QG--总的栅极电荷 QGS--栅极-源极电荷 QGD--栅极-漏极电荷(Miller) QOD--Miller电容充满后的过充电荷 典型的MOSFET曲线如图1所示,很多MOSFET厂商都提供这种曲线。可以看到,为了保证MOSFET导 通,用来对CGS充电的VGS要比额定值高一些,而且CGS也要比VTH高。栅极电荷除以VGS等于CEI,栅极 电荷除以导通时间等于所需的驱动电流(在规定的时间内导通)。 用公式表示如下: QG = (CEI)(VGS) IG = QG/t导通 其中: ● QG 总栅极电荷,定义同上。 ● CEI 等效栅极电容 ● VGS 删-源极间电压 ● IG 使MOSFET在规定时间内导通所需栅极驱动电流

图1 以往的SMPS控制器中直接集成了驱动器,这对于某些产品而言非常实用,但是,由于这种驱动器 的输出峰……
大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
本地下载

评论