资料介绍
ESD保护设计参考基于 ＥＳＤ 保护设计参考
――使用 ＥＳＤ 保护二极管进行 ＥＳＤ 保护 简介 当今，随着电子应用的日益普及，晶体管的集成度日益提高，一个硅管里可以
集成的性能和功能也就越来越多。 这样， 对一个系统来说， ＥＳＤ 保护便显得尤为重要。 Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｖｉｃｅ（加利福尼亚微设备有限公司）生产了一系列集成的 ＥＳＤ 保护二极管阵列，这种二极管阵列满足目前世界上最严格的 ＥＳＤ 测试国际标准―― ＩＥＣ（国际电工委员会）－１０００－４－２。这篇应用指南阐述了设计者最关心的问题，即 如何从使用这种 ＥＳＤ 保护二极管阵列得到最大好处。
ＩＥＣ－１０００－４－２ ＥＳＤ 模型
ＩＥＣ－１０００－４－２ ＥＳＤ 模型创造了一种能够在可控环境中衡量和测试电子设备承受 ＥＳＤ 的能力，这种方法已被广泛接受。在此标准中，ＥＳＤ 脉冲是这样来模拟的：它通 过给一个 １５０ｐＦ 的电容充电一个很高电压， 接着通过 ３３０ｏｈｍ 的电阻放电到被测设备。 静电可以通过电气接触直接打到被测点（直接放电） ，也可以通过空气气隙间接打到 被测点（间接放电） 。因为间接放电具有不确定性，并且其测试结果不易复现，所以， 首选的测试方法是直接放电。这个标准严格规定了 ４ 个测试等级，如表―１ 所示。注 意：同一等级的直接放电和间接放电测试规格没有内在的等效关系。
ＥＳＤ 保护的设计方案
对电子系统来说，防静电方法很多。可以通过机械方法防静电，在用户易接触 到的那些点周围，通过恰当地布置地屏蔽面来消除静电；也可以通过交替的屏蔽路 径来分散 ＥＳＤ 的能量，这样它就不会损坏内部比较敏感的元器件。如果你有兴趣， 可以看一下 Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｖｉｃｅ 的应用指南 ＡＰ－２０８《高性能集成电路静电 放电保护措施》 ， 它对静
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