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无源互调的基本概念

资料介绍
无源互调的基本概念
无源交调的基本概念



接触非线性引起的PIM产生机理包括以下7个方面:
(1)由接合面上的点接触引起的机械效应;
(2)点电子接触引起的电子效应;
(3)点电子接触和局部大电流引起的热效应;
(4)强直流电流引起金属导体中离子电迁移;
(5)接触面的相对运动、振动和磨损;
(6)不同热膨胀系数器件接触引起热循环;
(7)金属接触的松动和滑动以及氧化层或污染物的形成。

材料非线性引起PIM的产生机理主要有:
(1)电介质薄层的隧道贯穿:电子通过厚度小于10nm的电介质薄层直接由一个导体到另
一个导体的隧道贯穿,如由氧化层分离的金属之间的电子隧道效应;
(2)铁磁效应:铁磁材料(如铁、钴、镍)具有很大的磁导率,并随磁场非线性变化,显示
出磁滞特性,铁磁材料能引起很强的PIM产物
(3)接触电容:由接触表面薄层和污染层所引起的电容;
(4)电致伸缩:电场引起线度变化,发生于纯净的非极性电介质中的电致伸缩对同轴电缆
中产生的PIM产物有贡献;
(5)磁阻:磁场引起金属导体电阻的变化;
(6)电滞效应:材料电偶极子有自排列趋势;
(7)磁致伸缩:磁场引起线度变化,产生于铁磁材料之内;
(8)微放电:真空环境下由强电场产生离子气体引起的二次电子倍增放电,产生于微狭缝
之间和金属内的砂眼中;
(9)电介质击穿:强电场引起的非破坏性固态电介质击穿,可能的机理为热击穿和雪崩;

(10)空间充电:充电载流子在接触点进入绝缘体或半导体内,这个效应产生于非均匀内
部电场中。在半导体中,由于同时存在电子和空穴,因而可产生很强的非线性电流电压
关系;
(11)离子导电:由离子(如空穴)引起的导电现象,强电场时为非线性效应。在RF波段
和微波频段,直流分量大时,此效应才显示出来;
(12)热离子发射效应:由于热能的统计分布引起电子穿过势垒的效应,可在导体氧化膜
上产生;
(13)场发射:电子穿……
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