资料介绍
无源互调的基本概念
无源交调的基本概念
接触非线性引起的PIM产生机理包括以下7个方面：
(1)由接合面上的点接触引起的机械效应；
(2)点电子接触引起的电子效应；
(3)点电子接触和局部大电流引起的热效应；
(4)强直流电流引起金属导体中离子电迁移；
(5)接触面的相对运动、振动和磨损；
(6)不同热膨胀系数器件接触引起热循环；
(7)金属接触的松动和滑动以及氧化层或污染物的形成。
材料非线性引起PIM的产生机理主要有：
(1)电介质薄层的隧道贯穿：电子通过厚度小于10ｎｍ的电介质薄层直接由一个导体到另
一个导体的隧道贯穿，如由氧化层分离的金属之间的电子隧道效应；
(2)铁磁效应：铁磁材料(如铁、钴、镍)具有很大的磁导率，并随磁场非线性变化，显示
出磁滞特性，铁磁材料能引起很强的PIM产物
(3)接触电容：由接触表面薄层和污染层所引起的电容；
(4)电致伸缩：电场引起线度变化，发生于纯净的非极性电介质中的电致伸缩对同轴电缆
中产生的PIM产物有贡献；
(5)磁阻：磁场引起金属导体电阻的变化；
(6)电滞效应：材料电偶极子有自排列趋势；
(7)磁致伸缩：磁场引起线度变化，产生于铁磁材料之内；
(8)微放电：真空环境下由强电场产生离子气体引起的二次电子倍增放电，产生于微狭缝
之间和金属内的砂眼中；
(9)电介质击穿：强电场引起的非破坏性固态电介质击穿，可能的机理为热击穿和雪崩；
(10)空间充电：充电载流子在接触点进入绝缘体或半导体内，这个效应产生于非均匀内
部电场中。在半导体中，由于同时存在电子和空穴，因而可产生很强的非线性电流电压
关系；
(11)离子导电：由离子(如空穴)引起的导电现象，强电场时为非线性效应。在ＲＦ波段
和微波频段，直流分量大时，此效应才显示出来；
(12)热离子发射效应：由于热能的统计分布引起电子穿过势垒的效应，可在导体氧化膜
上产生；
(13)场发射：电子穿
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