资料介绍
电子电路经典实例1本章重点内容 z PN结及其单向导电特性 z 半导体二极管的伏安特性曲线 z 二极管在实际中的应用
第1章 半导体二极管及其应用电路
1.1
PN结
价电子
＋4
＋4
＋4
1.1.1 本征半导体
＋4 ＋4 ＋4
共价键的两 个价电子
自由电子
＋4
c
b
＋4 ＋4
a
＋4
空穴
（a）硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图
1.1.2 杂质半导体 1．N型半导体 2．P型半导体
＋4
＋4
＋4
自由电子
＋4 ＋5 ＋4
磷原子
＋4 ＋4 ＋4
电子一空穴对
图1.2
N型半导体的结构
空穴
＋4 ＋4 ＋4
＋4
＋3
＋4
磷原子
＋4 ＋4 ＋4
电子一空穴对
图1.3 3. PN结的形成
P区 N区
P型半导体的结构
P区 空间电荷区 N区
内电场
图1.4 PN结的形成
4． PN结的单向导电特性 (1) PN结的正向导通特性
P 空穴 (多数) 电子 (多数) R IR 内电场 外电场 IR≈0 内电场 外电场 变薄 N P 电子 (少数) 空穴 (少数) R 变 厚 N
(a) 正向偏置 图1.5 PN结的导电特性 (2) PN结的反向截止特性 1.2 半导体二极管
1.2.1 半导体二极管的结构及其在电路中的符号
（b）反向偏置
外壳
(阳极) P N
(阴极) － ＋
VD
(阴极) －
阳极引线
阴极引线
（a） 结构
（b）电路符号
（c）实物外形
图1.6 二极管结构、符号及外形
1.2.2 半导体二极管的伏安特性
iv/m A 1 5 I -U（
BR）
锗 B
′
硅
B
30 C
′
R
1 A 00 ′
C
A 0.2 0.4 5 -
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