资料介绍
溅镀
溅镀的原理如图
主要主要利用辉光放电(glow discharge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面,
靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜
来的好,但是镀膜速度却比蒸镀慢很多。新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺
旋状运动以加速靶材周围的氩气离子化, 造成靶与氩气离子间的撞击机率增加,
提高溅镀速率。一般金属镀膜大都采用直流溅镀,而不导电的陶磁材料则使用RF交流溅镀
,基本的原理是在真空中利用辉光放电(glow
discharge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面，电浆中的阳离子会加速冲向作为被
溅镀材的负电极表面，这个冲击将使靶材的物质飞出而沉积在基板上形成薄膜。
一般来说，利用溅镀制程进行薄膜披覆有几项特点：(1)金属、合金或绝缘物均可做成薄
膜材料。(2)再适当的设定条件下可将多元复杂的靶材制作出同一组成的薄膜。(3)利用
放电气氛中加入氧或其它的活性气体，可以制作靶材物质与气体分子的混合物或化合物
。(4)靶材输入电流及溅射时间可以控制，容易得到高精度的膜厚。(5)较其它制程利于
生产大面积的均一薄膜。
(6)溅射粒子几不受重力影响，靶材与基板位置可自由安排。(7)基板与膜的附着强度是
一般蒸镀膜的10倍以上，且由于溅射粒子带有高能量，在成膜面会继续表面扩散而得到
硬且致密的薄膜，同时此高能量使基板只要较低的温度即可得到结晶膜。(8)薄膜形成初
期成核密度高，可生产10nm以下的极薄连续膜。(9)靶材的寿命长，可长时间自动化连续
生产。(10)靶材可制作成各种形状，配合机台的特殊设计做更好的控制及最有效率的生
产。
一、DC Sputtering原理：(适合导体材料的溅镀)
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