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高频下电容的使用经验和原则

资料介绍
高频下电容的使用经验和原则
退藕电容的一般配置原则
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Xasic;ic;fpga;cpld;嵌入式;单片机;mpu;mcu;asi;dsp;arm;mips1.
电源输入端跨接10
~100uf的电解电容器。如有可能,接100uf以上的更好。www.eetop.cn[pic]J7ao UoGx
2.
原则上每个集成电路芯片都应布置一个0.01pf的瓷片电容,如遇印制板空隙不够,可每
4~8个芯片布置一个1 ~ 10pf的但电容。
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开发设计3. 对于抗噪能力弱、关断时电源变化大的器件,如
ram、rom存储器件,应在芯片的 电源线和地线之间直接入退藕电容。
9W7A*pPI]D中国电子顶级开发网4、电容引线不能太长,尤其是高频旁路电容不能有引线
。此外,还应注意以下两点:
S^8_5W}+`arm 论坛;asic;ic;fpga;cpld;嵌入式;单片机a、
在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时.操作它们时均会产生较大火花放电
,必须采用附图所示的 rc 电路来吸收放电电流。一般 r 取 1 ~ 2k,c取2.2 ~
47uf。
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bd C _^yFasic;ic;fpga;cpld;嵌入式;单片机;mpu;mcu;asi;dsp;arm;mipsb、
cmos的输入阻抗很高,且易受感应,因此在使用时对不用端要接地或接正电源。
由于大部分能量的交换也是主要集中于器件的电源和地引脚,而这些引脚又是独立的直
接和地电平面相连接的。这样,电压的波动实际上主要是由于电流的不合理分布引起。
但电流的分布不合理主要是由于大量的过孔和隔离带造成的。这种情况下的电压波动将
主要传输和影响到器件的电源和地线引脚上。
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y9{2]Lh去耦电容配置的一般原则……
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高频下电容的使用经验和原则
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